シリコンウェーハ及びその加工方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：須田正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996053093
Publication number (International publication number)：1997246220
Application date： Mar. 11, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】極めて高い平坦度を有しかつ光沢度の差による表裏の区別を容易にできるシリコンウェーハを得る。研磨時の接着剤を除去する煩わしさがなく、そりが小さい。【解決手段】表面が鏡面であって、裏面が非鏡面であるシリコンウェーハに関する。このウェーハはその表面のローカルサイトフラットネスで表されるサイト平坦度(SFPD)が0.01〜0.1μm(PUA95%以上)であって、かつシリコンウェーハを吸着固定した際のウェーハ表面高さの最大値と最小値との差(TTV)が1.0μm以内である。

Claim (excerpt)：

シリコンウェーハの表面が鏡面であって前記シリコンウェーハの裏面が非鏡面である片面鏡面加工されたシリコンウェーハにおいて、前記シリコンウェーハの表面のローカルサイトフラットネスで表されるサイト平坦度が0.01〜0.1μm(PUA95%以上)であって、かつ前記シリコンウェーハを吸着固定した際のウェーハ表面高さの最大値と最小値との差(TTV)が1.0μm以内であることを特徴とするシリコンウェーハ。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , H01L 21/306

FI (3)：

H01L 21/304 321 S , H01L 21/304 321 A , H01L 21/306 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-124823
半導体基板を研磨のために予備整形する方法とその構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-165246 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
ウェーハ研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-113773 Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社

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