多層埋め込みCu配線形成方法及び多層埋め込みCu配線構造

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：熊谷隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997272001
Publication number (International publication number)：1999097441
Application date： Sep. 18, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】埋め込みCu配線を多層化する工程の途中に露出するCu配線の露出面の酸化や変質を効果的に防止することができる多層埋め込みCu配線形成方法及び多層埋め込みCu配線構造を提供すること。【解決手段】 SiO2絶縁層10を形成するとともにSiO2絶縁層10に埋め込みCu配線15を形成しさらにSiO2絶縁層10の表面を化学機械研摩法によって平坦化せしめる工程を複数回繰り返すことによって半導体ウエハ表面に多層埋め込みCu配線を形成していく。前記平坦化の際に露出するCu配線15の露出面にAg保護膜17を形成する。Ag保護膜17の形成は、Cu配線15の露出面をAgで置換メッキすることによって行なう。

Claim (excerpt)：

絶縁層を形成するとともに該絶縁層に埋め込みCu(銅)配線を形成しさらに該絶縁層の表面を平坦化せしめる工程を複数回繰り返すことによって基材表面に多層埋め込みCu配線を形成する多層埋め込みCu配線形成方法において、前記平坦化の際に露出するCu配線露出面にAg(銀)保護膜を形成することを特徴とする多層埋め込みCu配線形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

キャップ付き銅電気相互接続構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-109176 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-171915 Applicant：株式会社東芝
めっき法による配線金属膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-264586 Applicant：松下電器産業株式会社

Return to Previous Page