化合物半導体単結晶の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004005318
Publication number (International publication number)：2005200229
Application date： Jan. 13, 2004
Publication date： Jul. 28, 2005
Summary：

【課題】成長過程全般、特に種付け部が液体封止剤中を通過するまでの固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、GaAs単結晶の収率を大幅に向上させることができるようにする。【解決手段】化合物半導体単結晶の製造方法は、結晶成長用容器9内に化合物半導体原料及び封止剤を投入し、加熱手段としてのヒータ5により原料及び封止剤を加熱して、原料融液15とその上に液体封止剤16とを形成し、種結晶12を原料融液15に接触させて種付けを行い、種付け部17aを原料融液15から引上げて化合物半導体単結晶を成長する。この成長過程において前記種付け部17aが前記液体封止剤16中を通過するまでの引上速度は、5mm/h以下とする。また、成長過程において前記種付け部17aが前記液体封止剤16中を通過した後の引上速度は、5mm/h以上、15mm/h以下とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

結晶成長容器内に化合物半導体原料及び封止剤を投入し、加熱手段により原料及び封止剤を加熱して、原料融液とその上に液体封止剤とを形成し、種結晶を原料融液層に接触させて種付けを行い、種付け部を原料融液から引上げて化合物半導体単結晶を成長する製造方法において、成長過程において前記種付け部が前記液体封止剤中を通過するまでの引上速度が、5mm/h以下であることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B15/22 , C30B29/42

FI (2)：

C30B15/22 , C30B29/42

F-Term (6)：

4G077AA02 , 4G077BE46 , 4G077CF10 , 4G077EH09 , 4G077EJ07 , 4G077PF17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

単結晶の直径制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-064183 Applicant：住友シチックス株式会社
特開昭63-176398
化合物半導体単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-012063 Applicant：株式会社ジャパンエナジー

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Cited by examiner (6)

特開昭63-176398
化合物半導体単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-012063 Applicant：株式会社ジャパンエナジー
化合物半導体単結晶の製造装置及びそれを用いた製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-250244 Applicant：日立電線株式会社

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