化合物半導体単結晶の製造装置及びそれを用いた製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999250244
Publication number (International publication number)：2001080989
Application date： Sep. 03, 1999
Publication date： Mar. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】化合物半導体単結晶の長尺結晶、大口径結晶を再現性良く得ることを可能にする。【解決手段】不活性ガスを充填した耐圧容器内に収容され加熱されたるつぼ5に原料融液、液体封止剤を収納し、種結晶11を原料融液に接触させつつ種結晶11とるつぼ5とを相対的に回転させて、LEC法により化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長させる結晶とるつぼの直径の比{(るつぼ直径)/(結晶直径)}が2.2〜3.2の範囲のるつぼを用いる。

Claim (excerpt)：

不活性ガスを充填した耐圧容器内に収容され加熱されたるつぼに、原料融液、液体封止剤を収納し、種結晶を原料融液に接触させつつ種結晶とるつぼとを相対的に回転させて単結晶を成長させるLEC法による化合物半導体単結晶の製造装置において、成長させる結晶とるつぼの直径の比{(るつぼ直径)/(結晶直径)}を2.2〜3.2の範囲に定めたことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置。

IPC (4)：

C30B 15/10 , C30B 29/40 501 , C30B 29/42 , H01L 21/208

FI (4)：

C30B 15/10 , C30B 29/40 501 A , C30B 29/42 , H01L 21/208 P

F-Term (18)：

4G077AA02 , 4G077AB09 , 4G077BE46 , 4G077CF10 , 4G077EG01 , 4G077EJ07 , 5F053AA12 , 5F053AA13 , 5F053BB35 , 5F053BB60 , 5F053DD03 , 5F053DD20 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053LL10 , 5F053RR03 , 5F053RR04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

単結晶育成装置及び単結晶育成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-206137 Applicant：株式会社ジャパンエナジー
単結晶製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-196646 Applicant：株式会社ジャパンエナジー
単結晶成長方法及び単結晶製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-020867 Applicant：株式会社ジャパンエナジー

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