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J-GLOBAL ID：200903003346072185

半導体装置の製造方法

Inventor： 菅井 和己 ,  土屋 泰章
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999086660
Publication number (International publication number)：2000277612
Application date： Mar. 29, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 CMP工程に起因するビア抵抗の増大や銅配線の腐食を抑制でき、素子特性および信頼性に優れた半導体装置を容易に作製する。【解決手段】 ウェハ上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の所定の箇所に溝または接続孔を設ける工程と、全面にタンタル、窒化タンタルの少なくとも一つでバリア膜を形成する工程と、前記溝または接続孔を埋め込むように全面に銅または銅合金からなる銅系金属膜を形成する工程と、前記バリア膜に対して前記銅系金属膜の研磨速度が大きい第1の研磨剤を用いて前記バリア膜の表面が露出するまで化学的機械的研磨法により研磨する第1の研磨工程と、前記銅系金属膜に対して前記バリア膜および前記絶縁膜の研磨速度が大きい第2の研磨剤を用いて前記銅系金属膜の上面が前記絶縁膜の上面と同じか或いは高くなるまで化学的機械的研磨法により研磨する第2の研磨工程を実施する。

Claim (excerpt)：

ウェハ上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の所定の箇所に溝または接続孔を設ける工程と、全面にタンタル、窒化タンタルの少なくとも一つでバリア膜を形成する工程と、前記溝または接続孔を埋め込むように全面に銅または銅合金からなる銅系金属膜を形成する工程と、前記バリア膜に対して前記銅系金属膜の研磨速度が大きい第1の研磨剤を用いて前記バリア膜の表面が露出するまで化学的機械的研磨法により研磨する第1の研磨工程と、前記銅系金属膜に対して前記バリア膜および前記絶縁膜の研磨速度が大きい第2の研磨剤を用いて前記銅系金属膜の上面が前記絶縁膜の上面と同じか或いは高くなるまで化学的機械的研磨法により研磨する第2の研磨工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/88 K

F-Term (26)：

5F033HH08 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ50 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR09 ,  5F033RR15 ,  5F033XX09 ,  5F033XX18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 埋め込み配線の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-013777   Applicant：松下電器産業株式会社
• 配線構造およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-322937   Applicant：松下電器産業株式会社
• 研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-036020   Applicant：日本電気株式会社