Pat
J-GLOBAL ID：200903002313817014

端面入射導波路型半導体受光素子およびそれを用いた光受信モジュール

Inventor：
豊中 隆司

About 豊中 隆司

, 
大石 耕太郎

About 大石 耕太郎

, 
宍倉 正人

About 宍倉 正人


Applicant, Patent owner：
日本オプネクスト株式会社

About 日本オプネクスト株式会社


Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000038039
Publication number (International publication number)：2001223369
Application date： Feb. 09, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：
【要約】【課題】導波路型光デバイスとの整合性に優れた端面入射型構造を有し、高い水平方向位置ずれトレランス幅、高い受光感度を得ると同時に、静電容量の低減が可能な、導波路型受光素子を提供する。【解決手段】半導体基板11の一方の面上に、光を吸収する光吸収層13とその光吸収層をはさみその光吸収層より屈折率が低い半導体層から構成されているコア層とを備えた台形状に突起した半導体メサ部12を有し、半導体メサ部側面の一部を受光端面とする端面入射導波路型受光素子であって、半導体メサ部12の幅が、上記受光端面から入射光の進行方向に沿って減少していることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板の一方の面上に、光を吸収する光吸収層と該光吸収層をはさみ該光吸収層より屈折率が低い半導体層から構成されているコア層とを備えた台形状に突起した半導体メサ部を有し、上記半導体メサ部側面の一部を受光端面とする端面入射導波路型受光素子であって、上記半導体メサ部の幅が、上記受光端面から入射光の進行方向に沿って減少していることを特徴とする端面入射導波路型半導体受光素子。
IPC (3)：
H01L 31/0232 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/026
FI (4)：
G02B 6/42 ,  H01S 5/026 ,  H01L 31/02 D ,  H01L 31/02 C
F-Term (28)：
2H037AA01 ,  2H037BA11 ,  2H037CA39 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA12 ,  5F073AB18 ,  5F073AB28 ,  5F073BA01 ,  5F073FA07 ,  5F073FA16 ,  5F088AA03 ,  5F088AB07 ,  5F088BA01 ,  5F088BA02 ,  5F088BA16 ,  5F088BB01 ,  5F088DA17 ,  5F088EA07 ,  5F088EA09 ,  5F088FA09 ,  5F088GA03 ,  5F088GA07 ,  5F088GA10 ,  5F088JA20 ,  5F088KA02 ,  5F088KA08 ,  5F088KA10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM