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J-GLOBAL ID：200903003398372934

化合物半導体装置の製造方法

Inventor： 藤本 英俊 ,  新田 康一 ,  石川 正行 ,  菅原 秀人 ,  国分 義弘 ,  山本 雅裕
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005228277
Publication number (International publication number)：2005328093
Application date： Aug. 05, 2005
Publication date： Nov. 24, 2005
Summary：

【課題】高信頼性を有する化合物半導体装置を提供する。【解決手段】化合物半導体装置の製造方法は、マグネシウムを含有する、p型若しくはi型の窒化物系化合物からなる第1半導体層25、26に1×1016cm-3〜8×1017cm-3の珪素を含有させる工程と、その後、第1半導体層25、26をエッチングする工程とを具備する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

マグネシウムを含有する、p型若しくはi型の窒化物系化合物からなる第1半導体層に1×1016cm-3〜8×1017cm-3の珪素を含有させる工程と、その後、前記第1半導体層をエッチングする工程とを具備することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (8)：

5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特開昭49-29770号
  

Cited by examiner (2)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203084   Applicant：日本電信電話株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-070874   Applicant：日亜化学工業株式会社