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J-GLOBAL ID：200903003421687476

比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット

Inventor：
野中 荘平

About 野中 荘平

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白井 孝典

About 白井 孝典

, 
佐々木 勇人

About 佐々木 勇人


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアル株式会社

About 三菱マテリアル株式会社


Agent (3)： 富田 和夫 ,  鴨井 久太郎 ,  影山 秀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007310222
Publication number (International publication number)：2009132975
Application date： Nov. 30, 2007
Publication date： Jun. 18, 2009
Summary：
【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】非磁性酸化物:0.5〜15モル%、Cr:4〜20モル%、Pt:5〜25モル%を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットはCo-Cr二元系合金相1の一部または全表面が薄い非磁性酸化物相2により包囲されている複合相3がPt相素地4中に均一分散している組織を有する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
非磁性酸化物:0.5〜15モル%、Cr:4〜20モル%、Pt:5〜25モル%を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは、Co-Cr二元系合金相の一部または全表面が薄い非磁性酸化物相により包囲されている複合相がPt相素地中に均一分散している組織を有することを特徴とする比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (9)：
C22C 19/07 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/00 ,  B22F 1/00 ,  B22F 3/10 ,  B22F 3/14 ,  B22F 3/15 ,  G11B 5/851
FI (9)：
C22C19/07 C ,  C23C14/34 A ,  C23C14/14 F ,  C23C14/00 D ,  B22F1/00 X ,  B22F3/10 F ,  B22F3/14 A ,  B22F3/15 M ,  G11B5/851
F-Term (24)：
4K018AA10 ,  4K018AB01 ,  4K018AC02 ,  4K018BA04 ,  4K018BC28 ,  4K018BD02 ,  4K018EA01 ,  4K018EA11 ,  4K018KA29 ,  4K029BA24 ,  4K029BA31 ,  4K029BA64 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029DC04 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5D112AA05 ,  5D112AA24 ,  5D112BB05 ,  5D112BB06 ,  5D112FA04 ,  5D112FB04 ,  5D112FB06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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