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J-GLOBAL ID：200903003426020089

荷電粒子ビームを用いるIC欠陥検出方法及びその装置

Inventor：
信太 総一

About 信太 総一

, 
川本 裕資

About 川本 裕資

, 
新島 宏信

About 新島 宏信


Applicant, Patent owner：
株式会社アドバンテスト

About 株式会社アドバンテスト


Agent (1)： 草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995179074
Publication number (International publication number)：1996086841
Application date： Jul. 14, 1995
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：
【要約】【課題】 電子ビームテスタにより良品と不良品とについて得たデータの不一致から不一致配線と不一致となった試験パターンアドレスとを自動的に決定する。【解決手段】 被試験ICに最初にfailが得られた試験パターンアドレス等で試験パターンを印加し、そのICの不良候補領域を移動させ、かつ不良候補配線を指定し、停止試験パターンアドレスごとに指定配線の電位データを取込み記憶する。このことを停止被試験パターンアドレスを順次遡ぼらせて行う。その後、良品ICについて上記指定領域の上記指定配線の電位データを同様にて取得し、各試験パターンごとに、被試験ICと良品ICとの電位データを比較し、不一致の試験パターンアドレスと配線とを探す。
Claim (excerpt)：
被試験ICに試験パターンを順次印加し、停止試験パターンアドレスでその試験パターンの更新を停止し上記被試験ICの指定された領域に荷電粒子ビームを照射してその二次電子を検出して、電位コントラスト像データを取得する第1ステップと、第2ICに上記試験パターンを順次印加し、上記停止試験パターンアドレスで、その試験パターンの更新を停止して上記第2ICの上記指定された領域に荷電粒子ビームを照射してその二次電子を検出して電位コントラスト像データを取得する第2ステップと、上記指定された領域中の指定された部位の電位データを上記被試験ICの電位コントラスト像データから取得する第3ステップと、上記指定された部位の電位データを上記第2ICの電位コントラスト像データから取得する第4ステップと、上記第3ステップで得られた電位データと上記第4ステップで得られた電位データとを比較する第5ステップと、を有する荷電粒子ビームを用いるIC欠陥検出方法。
IPC (2)：
G01R 31/302 ,  H01L 21/66
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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