膜構造体、電子デバイス、記録媒体および酸化物導電性薄膜の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石井陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997189065
Publication number (International publication number)：1999026296
Application date： Jun. 30, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 Si単結晶基板上に、表面が平坦でかつ十分な自発分極値を有する強誘電体薄膜、特にPZT薄膜を形成するために、強誘電体薄膜の応力を制御でき、かつ表面の平坦性が良好な導電性薄膜を形成する。【解決手段】 Si(100)面を表面に有する基板と、この基板上に形成された酸化物導電性薄膜とを有し、前記酸化物導電性薄膜が、ストロンチウムルテナイトを主成分とするエピタキシャル膜であり、前記酸化物導電性薄膜の表面の少なくとも80%が、基準長さ5000nmでの十点平均粗さRzが10nm以下である膜構造体。前記酸化物導電性薄膜上に、ジルコンチタン酸鉛等からなる強誘電体薄膜が形成される。

Claim (excerpt)：

Si(100)面を表面に有する基板と、この基板上に形成された酸化物導電性薄膜とを有する膜構造体であって、前記酸化物導電性薄膜が、ルテニウム酸ストロンチウムを主成分とするエピタキシャル膜であり、前記酸化物導電性薄膜の表面の少なくとも80%が、基準長さ5000nmでの十点平均粗さRzが10nm以下である膜構造体。

IPC (13)：

H01G 7/06 , H01L 21/203 , H01L 21/28 301 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/14 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 37/02 , H01L 41/09 , H01L 41/083

FI (12)：

H01G 7/06 , H01L 21/203 M , H01L 21/28 301 Z , H01L 27/10 451 , H01L 37/02 , H01L 27/10 651 , H01L 27/14 Z , H01L 27/14 K , H01L 29/78 371 , H01L 41/08 L , H01L 41/08 Q , H01L 41/08 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

酸化物積層構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-158521 Applicant：ソニー株式会社
特表平7-509689
強誘電性素子のための多層電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-086509 Applicant：シャープ株式会社

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