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J-GLOBAL ID：200903003472280877

鉄シリサイドナノワイヤの製造方法

Inventor： 孫 海林 ,  姜 開利 ,  李 群慶 ,  ▲ハン▼ 守善
Applicant, Patent owner： ツィンファ ユニバーシティ ,  鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009090221
Publication number (International publication number)：2009249278
Application date： Apr. 02, 2009
Publication date： Oct. 29, 2009
Summary：

【課題】本発明は、鉄シリサイドナノワイヤの製造方法に関する。【解決手段】本発明の鉄シリサイドナノワイヤの製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、鉄粉及び生長基板を提供し、該鉄粉及び該生長基板を分離して、前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガスを導入し、該反応室を600°C〜1200°C程度に加熱して、前記生長基板に鉄シリサイドナノワイヤを生長させる第三ステップと、を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、 鉄粉及び生長基板を提供し、該鉄粉及び該生長基板を分離して、前記反応室に置く第二ステップと、 前記反応室に珪素ガスを導入し、該反応室を600°C〜1200°Cに加熱して、前記生長基板に鉄シリサイドナノワイヤを生長させる第三ステップと、 を含むことを特徴とする鉄シリサイドナノワイヤの製造方法。

IPC (1)：

C01B 33/06

FI (1)：

C01B33/06

F-Term (16)：

4G072AA20 ,  4G072BB20 ,  4G072DD02 ,  4G072DD03 ,  4G072DD04 ,  4G072DD05 ,  4G072DD06 ,  4G072HH01 ,  4G072LL01 ,  4G072LL03 ,  4G072MM01 ,  4G072RR07 ,  4G072RR13 ,  4G072RR21 ,  4G072RR30 ,  4G072UU01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 鉄シリサイド結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-212894   Applicant：日本電信電話株式会社
• 珪化鉄粉末及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-265478   Applicant：株式会社日鉱マテリアルズ
• β-FeSi2膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-247181   Applicant：浜松ホトニクス株式会社

Cited by examiner (3)

• 鉄シリサイド結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-212894   Applicant：日本電信電話株式会社
• 珪化鉄粉末及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-265478   Applicant：株式会社日鉱マテリアルズ
• β-FeSi2膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-247181   Applicant：浜松ホトニクス株式会社