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J-GLOBAL ID：200903000840913274

β-FeSi2膜の製造方法

Inventor：
楚 樹成

About 楚 樹成

, 
菅 博文

About 菅 博文

, 
古田 慎一

About 古田 慎一


Applicant, Patent owner：
浜松ホトニクス株式会社

About 浜松ホトニクス株式会社


Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  池田 成人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002247181
Publication number (International publication number)：2004083343
Application date： Aug. 27, 2002
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：
【課題】Si基板上に結晶性の高いβ-FeSi2膜を形成する。【解決手段】この発明の方法は、Si基板を加熱クリーニングするクリーニング工程と、β-FeSi2からなる初期層を第1の温度でSi基板上に形成する初期層形成工程と、初期層を第1の温度より高い第2の温度で成長させる成長工程とを備える。第1の温度は、例えば440〜520°Cである。第2の温度は、例えば700〜760°Cである。比較的低い温度で初期層を形成してから、それをより高温で成長させると、結晶性の高いβ-FeSi2膜を得ることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
Si基板を加熱クリーニングするクリーニング工程と、 β-FeSi2からなる初期層を第1の温度で前記Si基板上に形成する初期層形成工程と、 前記初期層を前記第1の温度より高い第2の温度で成長させる成長工程と を備えるβ-FeSi2膜の製造方法。
IPC (3)：
C30B29/52 ,  C01B33/06 ,  H01L21/203
FI (3)：
C30B29/52 ,  C01B33/06 ,  H01L21/203 S
F-Term (27)：
4G072AA20 ,  4G072BB09 ,  4G072BB12 ,  4G072FF06 ,  4G072GG03 ,  4G072HH02 ,  4G072NN11 ,  4G072UU01 ,  4G077AA03 ,  4G077BA09 ,  4G077BE05 ,  4G077DA11 ,  4G077EA02 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FE11 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077SB01 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH03 ,  5F103LL20 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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