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J-GLOBAL ID：200903003503725112

半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子

Inventor：
小林 正英

About 小林 正英

, 
北村 昌太郎

About 北村 昌太郎


Applicant, Patent owner：
NECエレクトロニクス株式会社

About NECエレクトロニクス株式会社


Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005276440
Publication number (International publication number)：2007088285
Application date： Sep. 22, 2005
Publication date： Apr. 05, 2007
Summary：
【課題】 簡便な方法により、エピタキシャル層に生じる結晶悪化の影響を排除することができるためスループットが向上するとともに、しきい値電流、スロープ効率、および素子寿命等の特性が安定した半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、半導体基板表面または半導体基板上の膜表面に回折格子を形成する工程と、前記回折格子表面にエピタキシャル層を形成して多層膜を形成する工程と、を含む半導体レーザ素子の製造方法である。前記回折格子を形成する前記工程は、半導体レーザ素子の共振器方向に直交する方向における前記回折格子の幅を、メサ幅+30μm以上となるように前記回折格子を形成する工程である。【選択図】 図5
Claim (excerpt)：
半導体基板表面または前記半導体基板上の膜表面に回折格子を形成する工程と、 前記回折格子表面にエピタキシャル層を形成して多層膜を形成する工程と、を含む半導体レーザ素子の製造方法であって、 前記回折格子を形成する前記工程は、前記半導体レーザ素子の共振器方向に直交する方向における前記回折格子の幅を、メサ幅+30μm以上となるように前記回折格子を形成する工程である、半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (3)：
H01S 5/12 ,  H01S 5/125 ,  H01S 5/026
FI (3)：
H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/026 610
F-Term (15)：
5F173AA08 ,  5F173AA27 ,  5F173AB03 ,  5F173AB14 ,  5F173AB28 ,  5F173AD12 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP75 ,  5F173AQ10 ,  5F173AR82 ,  5F173AR92 ,  5F173AR93
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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