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J-GLOBAL ID：200903003629395452

磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法

Inventor：
照沼 幸一

About 照沼 幸一


Applicant, Patent owner：
ティーディーケイ株式会社

About ティーディーケイ株式会社


Agent (1)： 三反崎 泰司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999184662
Publication number (International publication number)：2001014616
Application date： Jun. 30, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 再生出力の低下を防止することができ、且つ適切なバイアス磁界を得ることができる磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 MR素子50は、外部磁場を感知する積層体5と、この積層体5にバイアス磁界を与える磁区制御膜500a,500bを備えて構成されている。磁区制御膜500a,500bは、強磁性材料からなる磁区制御用強磁性膜55a,55bと、反強磁性材料からなる磁区制御用反強磁性膜56a,56bとを積層してなるものである。磁区制御用強磁性膜55a,55bは、その磁歪λsが-15×10<SP>-6</SP><λs<0の範囲に入るよう構成されている。磁歪λsをこのような範囲に設定することで、外部磁界に対する磁区制御用強磁性膜55a,55bの磁化の変化におけるヒステリシスの増大を抑え、磁区制御用強磁性膜55a,55bが常に一定のバイアス磁界を発生するようにする。これにより、積層体5からの出力は安定する。
Claim (excerpt)：
外部磁界を感知する感磁層と、この感磁層にバイアス磁界を与える磁区制御膜とを備えた磁気変換素子であって、前記磁区制御膜は、強磁性材料からなる磁区制御用強磁性膜と、この磁区制御用強磁性膜の磁化の向きを固定する磁区制御用磁化固定膜とを含んで構成され、前記磁区制御用強磁性膜の磁歪λs が-15×10<SP>-6</SP><λs <0の範囲にあることを特徴とする磁気変換素子。
IPC (3)：
G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/14
FI (3)：
G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  G01R 33/06 R
F-Term (19)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AC01 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD59 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA05 ,  5D034BB12 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AB01 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01 ,  5E049CC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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