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J-GLOBAL ID：200903003672778748

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
野間 淳史

About 野間 淳史

, 
久都内 知恵

About 久都内 知恵


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001258248
Publication number (International publication number)：2003068993
Application date： Aug. 28, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 Wプラグ形成時において、高濃度水素雰囲気中で処理を行なっても容量絶縁膜の特性劣化を回避できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体能動素子5を有する半導体基板1上に形成された第1層間絶縁膜6の上には、容量素子15が形成されている。第1層間絶縁膜6の上には第2層間絶縁膜17が形成されている。第2層間絶縁膜17と第1層間絶縁膜6とを貫通して半導体能動素子5における不純物拡散層に到達するコンタクトホール18と、コンタクトホール18を埋めるWからなる配線用プラグ20aとが形成されている。水素透過防止用膜を、コンタクトホール18の壁面か、容量素子15における電極と半導体能動素子5における不純物拡散層とを接続するコンタクトホールの壁面に設ける。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成されたゲート電極と、上記半導体基板における上記ゲート電極の両側方の領域に形成された第1,第2の不純物拡散層とを有するトランジスタと、上記トランジスタを覆う第1層間絶縁膜と、上記第1層間絶縁膜の上に形成され、上部電極と,下部電極と,上記上部電極と上記下部電極との間に介在する容量絶縁膜とを有し、上記上部電極または上記下部電極が上記トランジスタの上記第1の不純物拡散層に接続される容量素子と、上記第1層間絶縁膜と上記容量素子とを覆う第2層間絶縁膜と上記第1層間絶縁膜と上記第2層間絶縁膜とを貫通し、上記トランジスタの上記第2の不純物拡散層に到達する第1のコンタクトホールと、上記第1のコンタクトホールの内表面を覆う、水素透過防止機能を有する配線プラグ用水素透過防止層と、上記配線プラグ用水素透過防止層の上に設けられ上記第1のコンタクトホールを埋める配線用プラグとを備えている半導体装置。
IPC (2)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/768
FI (2)：
H01L 27/10 444 B ,  H01L 21/90 C
F-Term (47)：
5F033GG03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH10 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK07 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN17 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ71 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR03 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX00 ,  5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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