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J-GLOBAL ID：200903003676539705

III族金属窒化膜を成長させるための方法および装置、ならびにIII族金属窒化膜

Inventor： ブッチャー ケネス スコット アレキサンダー ,  ウィントルベール エプ フーケ マリー-ピエール フランソワーズ ,  チェン パトリック ポ-ツァン ,  テン ヘイブ ジョン レオ ポール ,  ジョンソン デイビッド イアン
Applicant, Patent owner： ガリウム エンタープライジズ ピーティーワイ リミテッド
Agent (2)： 清水 初志 ,  新見 浩一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007532731
Publication number (International publication number)：2008515175
Application date： Sep. 27, 2005
Publication date： May. 08, 2008
Summary：

遠隔プラズマ増強化学気相成長法によってIII族金属窒化膜を成長させるための方法および装置が説明されている。この方法は、基板と、バッファ層を含む基板とからなる群より選択されるオブジェクトを成長チャンバにおいて約400°C〜約750°Cの範囲の温度に加熱する工程、成長チャンバから離れて配置された窒素プラズマで活性化中性窒素種を産生する工程、および活性化中性窒素種を成長チャンバに転送する工程を含む。反応混合物が成長チャンバで形成され、この反応混合物は、III族金属窒化膜を形成するために窒素種と反応可能なIII族金属の一種を含有し、膜がデバイス用途に適合する条件下で、III族金属窒化物の膜が加熱されたオブジェクト上に形成される。1.6原子%未満の酸素濃度を示すIII族金属窒化膜も説明されている。

Claim (excerpt)：

遠隔プラズマ増強化学気相成長法によってIII族金属窒化膜を成長させるための方法であって、以下の工程を含む方法: (a)基板と、成長チャンバにおいてバッファ層を含む基板とからなる群より選択されるオブジェクトを、約400°C〜約750°Cの範囲の温度に加熱する工程; (b)該成長チャンバから離れて配置された窒素プラズマにおいて活性化中性窒素種を産生する工程; (c)該活性化中性窒素種を該成長チャンバに転送する工程; (d)該成長チャンバにおいて反応混合物を形成する工程であって、該反応混合物が、III族金属窒化膜を形成するために該窒素種と反応可能なIII族金属の一種を含有する工程;および (e)該膜がデバイス用途に適している条件下でIII族金属窒化物の膜を該加熱されたオブジェクト上に形成する工程。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/452 ,  C30B 29/38 ,  C30B 29/40 ,  C23C 16/02

FI (7)：

H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C30B29/38 D ,  C30B29/38 C ,  C30B29/40 502C ,  C23C16/02

F-Term (44)：

4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB02 ,  4G077DB08 ,  4G077DB19 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA02 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  4K030LA14 ,  5F045AA09 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE07 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045BB07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• PCT/AU2003/000598号
  
• WO2003/097532号
  
• 米国特許第6,140,624号
  
• 米国特許第4,777,022号
  

Cited by examiner (3)

• 非晶質光半導体及びその製造方法並びに光半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-025380   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 化合物半導体薄膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-252840   Applicant：住友電気工業株式会社
• プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-331925   Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Studies of the Plasma Related Oxygen Contamination of Gallium Nitride Grown by Remort Plasma Enhance