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J-GLOBAL ID：200903072239328039

非晶質光半導体及びその製造方法並びに光半導体素子

Inventor：
八木 茂

About 八木 茂


Applicant, Patent owner：
富士ゼロックス株式会社

About 富士ゼロックス株式会社


Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004025380
Publication number (International publication number)：2004210635
Application date： Feb. 02, 2004
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：
【課題】 優れた光導電性特性、高速応答性、かつ耐環境特性や耐高温性を有する非晶質光半導体及びその製造方法並びにこの非晶質光半導体を用いた光半導体素子を提供する。【解決手段】 水素を含みIII族元素の原子数の総和とチッ素原子の原子数との比が1:0.5〜1:2である非晶質半導体である。また、1原子%以上50原子%以下の水素と、少なくともAl、Ga、Inの一つ以上の元素と、チッ素元素とを含み、酸素と炭素が各々15原子%以下である非晶質光半導体が好適である。この非晶質光半導体は、更にC,Si、Ge、Snから選ばれた一つ以上の元素、又はBe、Mg、Ca、Zn、Srから選ばれた一つ以上の元素を含む。この非晶質光半導体は、チッ素を含む化合物を必要なエネルギー状態や励起種に活性化し、この活性種と3族元素を含む有機金属化合物を反応させることによって得られる。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
水素と、GaあるいはGa及びInと、チッ素元素と、を含む非晶質半導体であって、前記Gaの原子数の総和あるいは前記Ga及びInの原子数の総和と前記チッ素原子の原子数との比が1:0.5〜1:2であることを特徴とする非晶質光半導体。
IPC (3)：
C01B21/06 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/04
FI (3)：
C01B21/06 Z ,  H01L31/08 N ,  H01L31/04 E
F-Term (21)：
5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F051AA08 ,  5F051CA16 ,  5F051CA17 ,  5F051GA02 ,  5F088AA11 ,  5F088AB07 ,  5F088CA01 ,  5F088GA01 ,  5F088GA02 ,  5F088GA04 ,  5F088LA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (4)
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