プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び半導体装置の作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994331925
Publication number (International publication number)：1996167596
Application date： Dec. 09, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【目的】プラズマの遮蔽をより効率よく行うことができ、プラズマ損傷の発生を一層効果的に抑制できるプラズマ処理装置を提供する。【構成】プラズマを生成するプラズマ生成室10と、プラズマ処理すべき被処理物50を配置するプラズマ処理室20とを備えたプラズマ処理装置には、プラズマ生成室10とプラズマ処理室20との間に少なくとも1枚のプラズマ分離用のメッシュプレート40が配設されており、メッシュプレート40には複数の開口部43が設けられており、開口部の径はプラズマのデバイ長の2倍以下である。あるいは又、メッシュプレートに0ボルト<V<SB>0</SB>≦30ボルトの電圧V<SB>0</SB>を印加し得る。

Claim (excerpt)：

プラズマを生成するプラズマ生成室と、プラズマ処理すべき被処理物を配置するプラズマ処理室とを備えたプラズマ処理装置であって、プラズマ生成室とプラズマ処理室との間に少なくとも1枚のプラズマ分離用のメッシュプレートが配設されており、該メッシュプレートには複数の開口部が設けられており、該開口部の径はプラズマのデバイ長の2倍以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

特開平2-071516
特開昭56-076242
真空処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-214691 Applicant：日電アネルバ株式会社