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J-GLOBAL ID：200903003819562860

金属およびケイ素を含有する3成分窒化物薄膜の形成方法

Inventor：
イ,キョウン-ソー

About イ,キョウン-ソー

, 
コ,ウォン-ヨン

About コ,ウォン-ヨン

, 
カン,サン-ウォン

About カン,サン-ウォン


Applicant, Patent owner：
ジェニテック コーポレーション リミテッド

About ジェニテック コーポレーション リミテッド


Agent (1)： ▲吉▼川 俊雄
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000570818
Publication number (International publication number)：2002525432
Application date： Sep. 10, 1999
Publication date： Aug. 13, 2002
Summary：
【要約】基板上の半導体デバイスにおいて使用される、金属、ケイ素および窒素を含有する3成分薄膜を形成させるための方法。本発明の方法は下記の工程を含む:ガス状金属化合物、ガス状ケイ素化合物およびアンモニアガスからなる群から選択される少なくとも1つのガスを含むそれぞれの反応性ガスを、前記ガス状金属化合物および前記アンモニアガスが混合物を形成しないような条件のもとで調製する工程;前記ガス状金属化合物、前記ガス状ケイ素化合物および前記アンモニアガスのそれぞれの供給が1つのガス供給サイクルにおいて少なくとも1回は含まれるように、前記反応性ガスの連続的なガス供給サイクルを決定する工程;および前記ガス供給サイクルを少なくとも1回繰り返すことによって前記反応性ガスを前記基板に当てる工程。本発明によって、3成分窒化物薄膜を、半導体基板表面の不規則さに関わらず、均一な厚さで形成させることができる。
Claim (excerpt)：
金属およびケイ素を含有する3成分窒化物薄膜を基板上に形成させるための方法であって、下記の工程を含む方法:(a)ガス状金属化合物、ガス状ケイ素化合物およびアンモニアガスからなる群から選択される少なくとも1つのガスを含むそれぞれの反応性ガスを、前記ガス状金属化合物および前記アンモニアガスが混合物を形成しないような条件のもとで調製する工程;(b)前記ガス状金属化合物、前記ガス状ケイ素化合物および前記アンモニアガスのそれぞれの供給が1つのガス供給サイクルにおいて少なくとも1回は含まれるように、前記反応性ガスの連続的なガス供給サイクルを決定する工程;および(c)前記ガス供給サイクルを少なくとも1回繰り返すことによって前記反応性ガスを前記基板に当てる工程。
IPC (3)：
C23C 16/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (3)：
C23C 16/34 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z
F-Term (22)：
4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030BA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  4M104HH04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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