Pat

J-GLOBAL ID：200903046911108408

半導体ウエハ上に膜を構築するためのチャンバ

Inventor： マイケル ダネック ,  マーヴィン リャオ ,  エリック エー. エングルハート ,  メイ チャン ,  イー-ジャン カウ ,  デール アール. ドゥボワ ,  アラン エフ. モリソン
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997218887
Publication number (International publication number)：1998125626
Application date： Jul. 09, 1997
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 抵抗率が改善された、共形性の高い拡散バリアの、インシチュウによる構築を遂行する。【解決手段】 本発明の一態様では、処理チャンバと、シャワーヘッドと、ウエハ支持体と、RFシグナル手段とを有していてもよい。シャワーヘッドを具備することにより、処理チャンバ内にガスを供給する。ウエハ支持体は、処理チャンバ内でウエハを支持するために具備される。シャワーヘッドに第1のRFシグナルを供給しまたウエハ支持体に第2のRFシグナルを供給するために、RFシグナル手段がシャワーヘッドとウエハ支持体の両方に結合していてもよい。あるいは、RFシグナル手段は、ウエハ支持体にRFシグナルを供給するためにウエハ支持体だけに結合していてもよい。本発明の態様を実施することによりアルミニウムや銅等のコンタクトメタルの拡散を防止する拡散バリアの能力を、向上させることができる。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ処理装置であって、処理チャンバと、前記処理チャンバにガスを供給するためのシャワーヘッドと、前記処理チャンバにおいてウエハを支持するためのウエハ支持体と、前記シャワーヘッドと前記ウエハ支持体との両方につながるRFソースとを備える半導体ウエハ処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (6)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/44 B ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-113587   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-198376   Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社