Pat
J-GLOBAL ID:200903003862284075
非担持金属触媒と一重ナノチューブを用いた一重ナノチューブの製法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000505355
Publication number (International publication number):2001512087
Application date: Jul. 31, 1998
Publication date: Aug. 21, 2001
Summary:
【要約】一種以上の気体炭素化合物の触媒による分解によって中空の一重の炭素ナノチューブを製造する方法において、一種以上の気体炭素化合物を含む炭素供給原料ガスであって、該炭素化合物の各々が1〜6個の炭素原子と、異種原子としてのH、O、N、S又はClのみとを有し、任意に水素と混合されている上記炭素供給原料ガス;及び、前記分解のための反応条件下で不安定であり、反応条件下に分解触媒として作用する金属含有触媒を形成する気相金属含有化合物;の気相混合物を先ず形成し、次いで、分解反応条件下で前記分解反応を行い、それによって前記ナノチューブを製造する、諸工程を含む上記製法。
Claim (excerpt):
一種以上の気体炭素化合物の触媒による分解によって中空の一重の炭素ナノチューブを製造する方法において、(1) (a) 一種以上の気体炭素化合物を含む炭素供給原料ガスであって、該炭素化合物の各々が1〜6個の炭素原子と、異種原子としてのH、O、N、S又はClのみとを有し、任意に水素と混合されている上記炭素供給原料ガス;及び (b) 前記分解のための反応条件下で不安定であり、反応条件下に分解触媒として作用する金属含有触媒を形成する気相金属含有化合物;の気相混合物を形成し、(2) 分解反応条件下で前記分解反応を行い、それによって前記ナノチューブを製造する、諸工程を含む、上記製法。
IPC (3):
C01B 31/02 101
, D01F 9/12
, D01F 9/127
FI (3):
C01B 31/02 101 F
, D01F 9/12
, D01F 9/127
F-Term (10):
4G046CA01
, 4G046CC02
, 4G046CC03
, 4G046CC08
, 4L037CS03
, 4L037FA03
, 4L037FA04
, 4L037FA05
, 4L037PA09
, 4L037PA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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特開平3-146716
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カーボン単層ナノチューブの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-003636
Applicant:日本電気株式会社
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特開平3-146716
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炭素繊維とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-112964
Applicant:日本電気株式会社
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硫化セレン化マンガン亜鉛系光半導体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-026482
Applicant:松下電器産業株式会社
-
二酸化炭素の接触水素化によるホルムアルデヒドの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-052300
Applicant:住友金属工業株式会社
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特開昭61-222538
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特開昭61-218554
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特開平3-146716
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特開昭61-222538
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特開昭61-218554
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