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J-GLOBAL ID:200903003892568639

水素ガスセンサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 中島 司朗 ,  安栖 尚宏 ,  小林 義周
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008042373
Publication number (International publication number):2009198410
Application date: Feb. 25, 2008
Publication date: Sep. 03, 2009
Summary:
【課題】できるだけ簡易な構成で水素ガスの濃度変化を精度よく検知する。【解決手段】 カーボン素材が分散されたプロトン伝導性の固体高分子電解質膜101、固体高分子電解質膜の主面に被着された触媒層102、触媒層に取り付けられた電極103、および固体高分子電解質膜に取り付けられた電極104を含むセンサヘッド100と、電極103の電位を基準電位としたときの電極104の電位である出力電圧が正電圧であればセンサヘッド周辺の雰囲気に水素ガスが含まれていると判断し、出力電圧が負電圧であればセンサヘッド周辺の雰囲気に水素ガスが含まれていないと判断する制御部205とを備える。【選択図】図2
Claim (excerpt):
カーボン素材が分散されたプロトン伝導性の固体高分子電解質膜、前記固体高分子電解質膜に被着された触媒層、前記触媒層に取り付けられた第1電極、および前記固体高分子電解質膜に取り付けられた第2電極を含むセンサヘッドと、 前記第1電極の電位を基準電位としたときの第2電極の電位である出力電圧が正電圧であれば前記センサヘッド周辺の雰囲気に水素ガスが含まれていると判断し、前記出力電圧が負電圧であれば前記センサヘッド周辺の雰囲気に水素ガスが含まれていないと判断する制御部と を備えることを特徴とする水素ガスセンサ。
IPC (3):
G01N 27/406 ,  G01N 27/416 ,  G01N 27/26
FI (4):
G01N27/58 Z ,  G01N27/46 371G ,  G01N27/26 371D ,  G01N27/26 381B
F-Term (8):
2G004BE04 ,  2G004BE22 ,  2G004BE29 ,  2G004BL19 ,  2G004BM04 ,  2G004BM05 ,  2G004BM09 ,  2G004ZA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)

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