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J-GLOBAL ID：200903003957179236

プラズマ処理装置

Inventor： 青木 克明 ,  藤田 博 ,  山崎 修 ,  成田 雅貴 ,  吉田 幸正 ,  王 魯濱 ,  松井 功 ,  大嶺 俊光
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999138879
Publication number (International publication number)：2000331994
Application date： May. 19, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 この発明は半導体ウエハをプラズマ処理する際に発生するパーティクルが半導体ウエハの上面に滞留し難くしたプラズマ処理装置を提供することにある。【解決手段】 プラズマ化された反応性ガスによって半導体ウエハ13をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、処理チャンバと、この処理チャンバ内に設置される上記半導体ウエハの周辺部に設けられる外周リング15と、この外周リングに設けられ上記半導体ウエハの上面に浮遊するパーティクルを上記外周リングの表面に生じるシースによって遮られることなく上記被処理物の径方向外方へ流出させる導電部材16とを具備したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

プラズマ化された反応性ガスによって被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、上記被処理物が収容される処理チャンバと、この処理チャンバ内に設置される上記被処理物の周辺部に設けられる外周リングと、この外周リングに設けられ上記被処理物の上面に浮遊するパーティクルが上記外周リングの表面に生じるシースによって遮られることを制御しながらこのパーティクルを上記被処理物の径方向外方へ流出させる排出手段とを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 M

F-Term (36)：

4K057DA20 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  4K057WA20 ,  5F004AA01 ,  5F004AA13 ,  5F004BA08 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB29 ,  5F004CA06 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EB13 ,  5F045EC05 ,  5F045EF05 ,  5F045EG01 ,  5F045EG08 ,  5F045EJ10 ,  5F045EM05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• プラズマリアクター用の改良型固定フォーカスリング
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-156140   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-218346   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 特開昭63-016625
  
• 特開昭63-016625