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J-GLOBAL ID：200903003964666460

薄膜半導体装置の製造方法

Inventor： 宮坂 光敏 ,  小川 哲也 ,  時岡 秀忠 ,  佐藤 行雄 ,  井上 満夫 ,  笹川 智広
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999070276
Publication number (International publication number)：2000269133
Application date： Mar. 16, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。【解決手段】 下地保護膜を堆積後、半導体膜を形成する。その後、波長が370nm以上710nm以下のパルスレーザー光を半導体膜に照射する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された硅素(Si)を主体とする結晶性半導体膜を能動層として用いて居る薄膜半導体装置の製造方法に於いて、基板上に下地保護膜と成る酸化硅素膜を形成する下地保護膜形成工程と、該下地保護膜上に硅素(Si)を主体とした半導体膜を形成する第一工程と、該半導体膜に370nm以上710nm以下の波長を有するパルスレーザー光を照射する第二工程とを含む事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 627 G

F-Term (83)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA02 ,  4K030FA10 ,  5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD08 ,  5F045AE09 ,  5F045AF07 ,  5F045BB07 ,  5F045BB16 ,  5F045BB18 ,  5F045CA15 ,  5F045DA61 ,  5F045DA63 ,  5F045DA67 ,  5F045HA18 ,  5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA10 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052JA01 ,  5F052JA10 ,  5F110AA08 ,  5F110AA17 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110EE04 ,  5F110EE11 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP23 ,  5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 薄膜トランジスタおよびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-274747   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• ビームホモジナイザーおよびレーザー照射装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-052833   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体集積回路およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-275396   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所