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J-GLOBAL ID：200903003996595786

FET素子

Inventor：
渡部 行男

About 渡部 行男


Applicant, Patent owner：
三菱化成株式会社

About 三菱化成株式会社


Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992298965
Publication number (International publication number)：1994151872
Application date： Nov. 09, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【構成】 基板上に、ソース、ドレイン、ソースドレイン間のチャンネル及びゲート電極を有するFET素子において、チャンネルが(1)周期表第4族から第11族の金属元素及びBiから選ばれる少なくとも一種類の金属元素及び(2)アルカリ金属元素、アルカリ土類元素、希土類金属元素から選ばれる少なくとも一種類の金属を構成金属元素とするペロブスカイト構造を有する酸化物薄膜層からなり且つその層厚が1000Å以下、電気抵抗率が2mΩcm以上であり、該酸化物薄膜層チャンネル上には直接あるいは他の金属酸化物薄膜を介して形成された金属酸化物誘電体薄膜層及びこれに接してゲート電極が形成されてなるFET素子。【効果】 従来の半導体素子では得られないメモリーや赤外検出器等が実現でき、さらに素子の小型化も可能となる。
Claim (excerpt)：
基板上に、ソース、ドレイン、ソースドレイン間のチャンネル及びゲート電極を有するFET素子において、チャンネルが(1)周期表第4族から第11族の金属元素及びBiから選ばれる少なくとも一種類の金属元素及び(2)アルカリ金属元素、アルカリ土類元素、希土類金属元素から選ばれる少なくとも一種類の金属を構成金属元素とするペロブスカイト構造を有する酸化物薄膜層からなり且つその層厚が1000Å以下、電気抵抗率が2ミリオームセンチメートル以上であり、該酸化物薄膜層チャンネル上には直接あるいは他の金属酸化物薄膜を介して形成された金属酸化物誘電体薄膜層及びこれに接してゲート電極が形成されてなることを特徴とするFET素子。
IPC (3)：
H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/804
FI (2)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 29/80 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平1-102974
  • 特開平2-194666
  • 超電導トランジスタ及びその作動方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-023558   Applicant：株式会社日立製作所
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