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J-GLOBAL ID：200903004043639170

誘電体薄膜および薄膜コンデンサ並びに誘電体薄膜の製法

Inventor： 永仮 尚謙 ,  神垣 耕世 ,  南部 信次
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996138432
Publication number (International publication number)：1997134613
Application date： May. 31, 1996
Publication date： May. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】比誘電率が2500以上と大きく、かつ膜厚が2μm以下のPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 からなる誘電体薄膜を提供する。【解決手段】膜厚が2μm以下の誘電体薄膜であって、室温での比誘電率が2500以上のPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 からなる誘電体薄膜であり、この誘電体薄膜を一対の電極により挟持した薄膜コンデンサである。誘電体薄膜は、赤外吸収スペクトルにおいて658cm-1付近に吸収を有するMgNb複合アルコキシドからなるMgNb前駆体溶液と、Pb前駆体溶液とを混合して合成することにより得られたPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 前駆体溶液を用いて製造される。また、このMgNb複合アルコキシドを部分的に加水分解して得られたMgNbゾルからなるMgNb前駆体溶液を用いて製造される。

Claim (excerpt)：

膜厚が2μm以下のPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 からなる誘電体薄膜であって、室温での比誘電率が2500以上であることを特徴とする誘電体薄膜。

IPC (5)：

H01B 3/00 ,  C01B 13/32 ,  C04B 35/495 ,  H01B 3/12 313 ,  H01G 4/33

FI (5)：

H01B 3/00 F ,  C01B 13/32 ,  H01B 3/12 313 ,  C04B 35/00 J ,  H01G 4/06 102

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 薄膜コンデンサ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-050393   Applicant：松下電器産業株式会社
• 誘電体薄膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-069401   Applicant：株式会社村田製作所
• 特開平4-321521
  
• 鉛系複合ペロブスカイト型酸化物薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-087893   Applicant：株式会社村田製作所, 平野眞一

Cited by examiner (2)

• 薄膜コンデンサ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-050393   Applicant：松下電器産業株式会社
• 誘電体薄膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-069401   Applicant：株式会社村田製作所