誘電体素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992149521
Publication number (International publication number)：1993343616
Application date： Jun. 09, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】金属酸化物誘電体に電極を接触させた誘電体素子において、繰り返し電圧、あるいは応力を印加した後での、自発分極の減少やリーク電流の増大を防止する。【構成】少なくとも一方の電極の誘電体膜と接する領域において、酸素を含有する。また金属酸化物誘電体がペロブスカイト型の結晶構造を有する、金属酸化物誘電体であり、さらに前記電極が、白金族元素、及び金のうち1もしくは2種類以上を主成分とする。

Claim (excerpt)：

金属酸化物誘電体を基質とする薄膜に一個、もしくは複数個の電極を接触させた構造を有する誘電体素子において、前記電極のうち少なくとも一個の電極の、少なくとも前記金属酸化物誘電体を基質とする薄膜に接触する領域に、酸素を含むことを特徴とする誘電体素子。

IPC (2)：

H01L 27/04 , H01G 4/12 358

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-108752
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-032072 Applicant：三菱電機株式会社
半導体メモリの記憶用キヤパシタおよびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-178614 Applicant：三菱電機株式会社

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