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J-GLOBAL ID：200903004086221560

パラジウムまたはパラジウム合金被覆多孔質体の製造方法

Inventor：
蔵岡 孝治

About 蔵岡 孝治

, 
矢澤 哲夫

About 矢澤 哲夫


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001382522
Publication number (International publication number)：2003183840
Application date： Dec. 17, 2001
Publication date： Jul. 03, 2003
Summary：
【要約】【課題】簡便にパラジウム触媒を付与することにより、効率よくパラジウムまたはパラジウム合金被覆多孔質体を製造する方法を提供する。【解決手段】パラジウム化合物を多孔質体に蒸着した後、水素還元することによりパラジウム粒子を多孔質体の細孔内に担持させるか、またはパラジウム源気化室においてパラジウム化合物を気化させ、気化したパラジウム化合物をキャリアガスと同伴させることにより反応室へ導入し、反応室において気化したパラジウム化合物を多孔質体に蒸着し、必要に応じて、水素還元することによりパラジウム粒子を多孔質体の細孔内に担持させた後、無電解めっきによりパラジウムまたはパラジウム合金を多孔質体の細孔内にめっきすることを特徴とするパラジウムまたはパラジウム合金被覆多孔質体の製造方法。
Claim (excerpt)：
パラジウム化合物を多孔質体に蒸着した後、水素還元することによりパラジウム粒子を多孔質体の細孔内に担持させ、その後、無電解めっきによりパラジウムまたはパラジウム合金を多孔質体の細孔内にめっきすることを特徴とするパラジウムまたはパラジウム合金被覆多孔質体の製造方法。
IPC (4)：
C23C 18/18 ,  C01B 3/56 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/42
FI (5)：
C23C 18/18 ,  C01B 3/56 Z ,  C23C 18/31 A ,  C23C 18/31 E ,  C23C 18/42
F-Term (14)：
4G040FA06 ,  4G040FB09 ,  4G040FC01 ,  4G040FE01 ,  4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022AA37 ,  4K022AA41 ,  4K022BA18 ,  4K022CA06 ,  4K022CA07 ,  4K022DA01 ,  4K022DB11 ,  4K022DB30
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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