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J-GLOBAL ID：200903004113340194

露光過程中のスカムを抑制するリソグラフィ方法

Inventor：
ムーン ジェ イン

About ムーン ジェ イン


Applicant, Patent owner：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

About 株式会社ハイニックスセミコンダクター


Agent (2)： 吉田 研二 ,  石田 純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007232288
Publication number (International publication number)：2008242413
Application date： Sep. 07, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：
【課題】スカムの発生を抑制する。【手段】ラインパターン及びパッドパターンを含む原本レイアウトを設計して、パッドパターンを抽出した後、パッドパターンのレイアウトに対して第1縮小幅に縮小された第1縮小レイアウトを得る。パッドパターンのレイアウトに対して第1縮小幅より大きい第2縮小幅に縮小された第2縮小レイアウトを得た後、第1縮小レイアウトから第2縮小レイアウトを差引してパッドパターンのレイアウトに自己整列される補助パターンのレイアウトを得る。原本レイアウトから補助パターンのレイアウトを差引して原本レイアウトに補助パターンを生成させて、補助パターンが生成されたレイアウトを半導体基板上に露光過程によって転写する露光過程中のスカムを抑制するリソグラフィ方法を提供する。【選択図】図12
Claim (excerpt)：
ラインパターン及びパッドパターンを含む原本レイアウトを設計する段階、 前記原本レイアウトから前記パッドパターンを抽出する段階、 前記抽出されたパッドパターンのレイアウトに対して第1縮小幅に縮小された第1縮小レイアウトを得る段階、 前記パッドパターンのレイアウトに対して前記第1縮小幅より大きい第2縮小幅に縮小された第2縮小レイアウトを得る段階、 前記第1縮小レイアウトから前記第2縮小レイアウトを差引して前記パッドパターンのレイアウトに自己整列される補助パターンのレイアウトを得る段階、 前記原本レイアウトから前記補助パターンのレイアウトを差引して前記原本レイアウトに補助パターンを生成させる段階、及び 前記補助パターンが生成されたレイアウトを半導体基板上に露光過程によって転写する段階を含む露光過程中のスカムを抑制するリソグラフィ方法。
IPC (3)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (3)：
G03F1/08 A ,  H01L21/30 514C ,  G03F7/20 521
F-Term (8)：
2H095BA01 ,  2H095BA02 ,  2H095BB01 ,  2H095BB02 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046CB17 ,  5F046DA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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