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J-GLOBAL ID：200903004143017940

多孔質膜の形成方法及び多孔質膜の形成材料

Inventor：
青井 信雄

About 青井 信雄


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998029431
Publication number (International publication number)：1999233506
Application date： Feb. 12, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：
【要約】【課題】 多孔質膜の形成材料が経時変化により劣化せず、短時間で低温且つ常圧下において従来のSOGプロセスと同様に簡便な方法で多孔質膜を形成でき、LSIに集積化するのに十分な程度に多孔質膜の細孔径を微細化する。【解決手段】 シラノール縮合体微粒子を含む溶液に有機酸が添加されてなる有機酸添加溶液を基板上に塗布して塗布膜を形成する。塗布膜中に取り込まれた有機酸がシラノール縮合体微粒子同士の縮合を触媒的に進行させて塗布膜の強度を向上させるので、塗布膜中に溶媒の蒸発に伴って形成される細孔は潰れずに存在する。次に、塗布膜に対して熱処理を施すと、有機酸が気化し、有機酸の気化に伴って塗布膜中にはさらに細孔が形成されるので、多孔質膜の比誘電率が低下する。
Claim (excerpt)：
シラノール縮合体微粒子を含む溶液にアルキル基を有する有機酸が添加されてなる有機酸添加溶液を基板上に塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、前記塗布膜に対して熱処理を施して前記塗布膜からなる多孔質膜を形成する多孔質膜形成工程とを備えていることを特徴とする多孔質膜の形成方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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