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J-GLOBAL ID：200903004148482854

半導体装置の層間絶縁膜の形成方法

Inventor：
星野 聡彦

About 星野 聡彦


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998236529
Publication number (International publication number)：2000058538
Application date： Aug. 08, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 誘電率が低く、熱膨張係数の低減、耐熱性、熱伝導性、機械的強度の向上を図ることができる半導体装置の層間絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の層間絶縁膜の形成方法において、被処理体の表面に、ハイドロカーボン系ガスとボラジンとプラズマ用ガスを含む雰囲気の存在下でプラズマCVDによりB-C-N結合を含む層間絶縁膜を形成する。これにより、誘電率が低く、熱膨張係数の低減、耐熱性、熱伝導性、機械的強度の向上を図る。
Claim (excerpt)：
半導体装置の層間絶縁膜の形成方法において、被処理体の表面に、ハイドロカーボン系ガスとボラジンとプラズマ用ガスを含む雰囲気の存在下でプラズマCVDによりB-C-N結合を含む層間絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の層間絶縁膜の形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/314 ,  C23C 16/38 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/768
FI (4)：
H01L 21/314 A ,  C23C 16/38 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/90 P
F-Term (24)：
4K030AA04 ,  4K030AA07 ,  4K030AA09 ,  4K030BA26 ,  4K030BA41 ,  4K030CA04 ,  4K030LA02 ,  5F033RR01 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F033WW06 ,  5F033XX27 ,  5F058BA04 ,  5F058BA20 ,  5F058BB07 ,  5F058BB10 ,  5F058BC09 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF26 ,  5F058BF30 ,  5F058BF32 ,  5F058BF64 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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