GaN系半導体発光素子およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高島一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997307677
Publication number (International publication number)：1999145515
Application date： Nov. 10, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】転位線に電極材料が入り込むことを抑制し、ショートの発生・発光特性の劣化を減少させる製造方法を提供し、より長寿命のGaN系発光素子を提供すること。【解決手段】ベース基板1を最下層とし、その上にGaN系結晶からなる層を順次成長させ、発光層S2を含む積層体Sを形成する。積層体のいずれかの層を転位線制御層(図では層S4)とする。転位線制御層は、マスク層を設けた面に成長させた層であって、非マスク領域11を成長の出発面とし、C軸方向への成長速度とC軸に垂直な方向への成長速度との比を制御されてマスク層上面を覆うまで成長してなる。転位線制御層によって転位線L2の伝搬経路を制御し、それによって上部電極形成面のうちの低転位とされた領域に上部電極を設ける。

Claim (excerpt)：

GaN系結晶がC軸を厚み方向として成長可能なベース基板を最下層とし、その上に、GaN系結晶からなり発光層を含む複数の層が順次成長し積み重なって積層体が形成され、これにp型電極、n型電極が設けられた構成を有する半導体発光素子であって、両電極のうち発光層よりも上層側に設けられる上部電極の形成面を除いてその面よりも下層側の各層上面のいずれかの面には、マスク領域と非マスク領域とを形成するようにマスク層が設けられ、マスク層の材料はそれ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料であり、マスク層を覆う層は、非マスク領域を成長の出発面とし、C軸方向への成長速度とC軸に垂直な方向への成長速度との比を制御されてマスク層上面を覆うまで成長してなる層であり、この層を転位線制御層と呼ぶとし、上部電極形成面のうち、転位線制御層によって低転位とされた領域内に、上部電極が設けられていることを特徴とするGaN系半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/20 , H01L 21/205

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/20 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-007048 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-061187 Applicant：株式会社東芝
半導体基板および半導体基板の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-306215 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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