半導体基板および半導体基板の形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上野英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997306215
Publication number (International publication number)：1999162847
Application date： Nov. 07, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】結晶欠陥密度の低いIII族窒化物半導体露出基板の形成。【解決手段】III族窒化物半導体単結晶露出基板上に結晶化温度より低い温度でIII族窒化物半導体の薄膜を低温堆積した後、該薄膜を単結晶化し、その上に所望III族窒化物半導体単結晶薄膜を成長させて改良された露出基板を得た。

Claim (excerpt)：

一のIII族窒化物半導体露出基板上に、順次形成される第1、第2のIII族窒化物半導体単結晶薄膜(以下単結晶薄膜と称する)からなる対構造を1つあるいは複数備える基板であって、第1の単結晶薄膜が結晶欠陥密度緩衝薄膜として機能し、第2の単結晶薄膜の結晶欠陥密度が前記一のIII族窒化物半導体露出基板表面に露出するIII族窒化物半導体単結晶の結晶欠陥密度よりかなり低いことを特徴とする半導体基板。

IPC (2)：

H01L 21/20 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/20 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体発光素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213676 Applicant：ローム株式会社
3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-025852 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
GaN単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-062815 Applicant：三菱電線工業株式会社

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