半導体ウエーハの加工方法および加工装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小野尚純 , 奥貫佐知子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003315164
Publication number (International publication number)：2005085925
Application date： Sep. 08, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：

【課題】半導体ウエーハの裏面を研削等によって所定の厚さに加工しても、基板内に入り込んだ金属イオン等の移動を拘束することができるとともに、大気中の不純物が基板内に入ることをブロックすることができる半導体ウエーハの加工方法および加工装置を提供する。【解決手段】表面に格子状に配列されたストリートによって多数の矩形領域が区画され、この区画された矩形領域に回路が形成された半導体ウエーハの加工方法であって、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成する研削行程と、所定の厚さに形成された半導体ウエーハの裏面に酸化被膜を形成する酸化被膜形成行程とを含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面に格子状に配列されたストリートによって多数の矩形領域が区画され、この区画された矩形領域に回路が形成された半導体ウエーハの加工方法であって、該半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成する研削行程と、所定の厚さに形成された該半導体ウエーハの裏面に酸化被膜を形成する酸化被膜形成行程と、を含む、ことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。

IPC (2)：

H01L21/304 , H01L21/301

FI (2)：

H01L21/304 631 , H01L21/78 Q

Patent cited by the Patent：

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ウエハ裏面の処理方法およびダイシング用シート貼付け装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-152344 Applicant：日東電工株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-043456 Applicant：株式会社日平トヤマ
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-038118 Applicant：松下電器産業株式会社

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研削システム
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