半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996064269
Publication number (International publication number)：1997260491
Application date： Mar. 21, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の劣化を防止し、かつ安全な工程によって製造し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上には、トランジスタ2等が設けられ、その上にBPSG膜3が形成される。その上には第1層配線4が形成され、層間絶縁膜としての酸化されたポリヒドロシラザン系SOG膜7の上に無機SOG膜6が形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体装置において、層間絶縁膜として、ポリヒドロシラザン系SOG膜の上に、無機SOG膜を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/316 , H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/90 M , H01L 21/316 G , H01L 21/95

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-134382 Applicant：富士通株式会社
集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-042770 Applicant：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-263356 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム

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