半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井桁貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994134382
Publication number (International publication number)：1996008248
Application date： Jun. 16, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】厚膜無機SOG 膜の焼成時にその膜質を低下させることなく,下層配線の浸食を抑制し,配線の信頼性を向上する。【構成】 1)半導体基板 1上に少なくとも表層部がリフラクトリメタルまたはその合金からなる配線 2 ; 2A,2Bを形成する工程と,該半導体基板 1上に該配線を覆って分子末端がプロトンで封止され且つ骨格中にシラザン結合を持つ無機スピンオングラス(SOG) 膜 4を塗布し,該無機SOG 膜 4を焼成する工程とを有する,2)前記リフラクトリメタルがタングステン, またはチタンであり, その合金が窒化チタンである。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1) 上に少なくとも表層部がリフラクトリメタルまたはその合金からなる配線(2),(2A,2B) を形成する工程と,該半導体基板(1) 上に該配線を覆って分子末端がプロトンで封止され且つ骨格中にシラザン結合を持つ無機スピンオングラス(SOG) 膜(4)を塗布し,該無機SOG 膜(4)を焼成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 R , H01L 21/90 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-279633 Applicant：富士通株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-257941 Applicant：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
配線およびその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-342702 Applicant：株式会社日立製作所

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