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J-GLOBAL ID：200903004184732123

受光素子、火炎センサ及び受光素子の製造方法

Inventor： 平野 光 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 北村 修一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997319531
Publication number (International publication number)：1999154763
Application date： Nov. 20, 1997
Publication date： Jun. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 良好な量子効率及び応答速度を有するInAlGaN系の受光素子を提供する。【解決手段】 受光素子が、第1導電型の半導体層FLと、その半導体層FLとは導電型の異なる第2導電型の半導体層SLとの間に、キャリア濃度が1×1015cm-3以下の高抵抗のIny Alx Ga1-x-y N単結晶膜5(x≧0,y≧0)を形成して受光部PRが構成され、前記第1導電型の半導体層FLと前記第2導電型の半導体層SLとの間に通電されるように一対の電極8a,8bが形成されて構成されている。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体層と、その半導体層とは導電型の異なる第2導電型の半導体層との間に、キャリア濃度が1×1015cm-3以下の高抵抗のIny Alx Ga1-x-y N単結晶膜(x≧0,y≧0)を形成して受光部が構成され、前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層との間に通電されるように一対の電極が形成されて構成されている受光素子。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/107

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 火炎センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-034603   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-341880   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物半導体単結晶薄膜の成長方法及び同装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-014533   Applicant：京セラ株式会社