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J-GLOBAL ID：200903094146244785

窒化物半導体単結晶薄膜の成長方法及び同装置

Inventor：
永田 清一

About 永田 清一


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996014533
Publication number (International publication number)：1997213998
Application date： Jan. 30, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 結晶成長温度を低下させ、併せて結晶成長速度を増加させること。V族元素原材料ガスであるアンモニアの必要供給量を減少させること。基板の選択幅を拡大することを目的とする。【解決手段】 III族元素原料ガスと窒素元素を含有するV族元素原料ガスを供給して、結晶成長室内の加熱された基板上に窒化物半導体単結晶薄膜を成長させる窒化物半導体単結晶薄膜の成長方法において、前記基板表面上の雰囲気圧力を約10Torrから数気圧の範囲に制御し、この雰囲気圧力以上の圧力にある窒素を主成分とするガスを放電領域を通過させて前記基板上に供給しながら前記窒化物半導体単結晶薄膜を成長させる。
Claim (excerpt)：
III族元素原料ガスと窒素元素を含有するV族元素原料ガスを供給して、結晶成長室内の加熱された基板上に窒化物半導体単結晶薄膜を成長させる窒化物半導体単結晶薄膜の成長方法において、前記基板表面上の雰囲気圧力を約10Torrから数気圧の範囲に制御し、この雰囲気圧力以上の圧力にある窒素を主成分とするガスを放電領域を通過させて前記基板上に供給しながら前記窒化物半導体単結晶薄膜を成長させることを特徴とする窒化物半導体単結晶薄膜の成長方法。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205
FI (5)：
H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 C ,  C30B 29/38 D ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (11)
  • 特開昭62-186528
  • 特開昭62-186528
  • 薄膜形成方法および薄膜形成装置および半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-347537   Applicant：キヤノン株式会社
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