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J-GLOBAL ID：200903004223333118
SiC部材及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡邉 一平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998078100
Publication number (International publication number)：1999278938
Application date： Mar. 25, 1998
Publication date： Oct. 12, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体の製造過程において、半導体を汚染することなく、かつ、十分な緻密性と強度を有するSiC部材を提供する。【解決手段】 半導体製造装置を構成するSiC部材において、IA金属(アルカリ金属)及びIIA金属(アルカリ土類金属)の総含有量を10ppm以下とする。
Claim (excerpt)：
半導体製造装置を構成するSiC部材であって、IA金属(アルカリ金属)及びIIA金属(アルカリ土類金属)の総含有量が10ppm以下であることを特徴とするSiC部材。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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