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J-GLOBAL ID：200903004225677620

スマートカット(登録商標)剥離後の熱処理方法

Inventor：
赤津 豪

About 赤津 豪

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ダヴァル,ニコラ

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ニュエン,ニュエ-フオン

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ブルデル,コンスタンタン

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Applicant, Patent owner：
エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース

About エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース


Agent (1)： 太田 恵一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007501320
Publication number (International publication number)：2007526646
Application date： Mar. 07, 2005
Publication date： Sep. 13, 2007
Summary：
本発明は、ドナー基板(10)から採取した、半導体材料の中から選択した材料からなる層(1)を含む構造(30)の形成方法に関し、この方法は、(a)ドナー基板(10)内の採取層(1)の厚さに近い深さのところに脆化ゾーン(4)を形成するために核種を注入するステップと、(b)受容基板(20)にドナー基板を接着するステップと、(c)脆化ゾーン(4)でドナー基板(10)から採取層(1)を切り離すために熱エネルギーを供給するステップと、(d)採取層(1)の処理ステップとを含み、ステップ(d)は、採取層(1)が依然としてドナー基板の残りの部分(10’)と接触し続けているのにも関わらず実施される採取層(1)の修復操作を含み、この修復操作が、ドナー基板の残りの部分(10’)と採取層(1)との再接着温度より低い温度の熱処理によって実施されることを特徴とする。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
ドナー基板(10)から採取した、半導体材料の中から選択した材料からなる層(1)を含む構造(30)の形成方法であって、 (a)ドナー基板(10)内の、採取層(1)の厚さに近い深さのところに、脆化ゾーン(4)を形成するために核種を注入するステップと、 (b)受容基板(20)にドナー基板を接着するステップと、 (c)脆化ゾーン(4)でドナー基板(10)から採取層(1)を切り離すために熱エネルギーを供給するステップと、 (d)採取層(1)の処理ステップ とを含み、 ステップ(d)が、採取層(1)が依然としてドナー基板の残りの部分(10’)と接触し続けているのにも関わらず実施される採取層(1)の修復操作を含み、この修復操作が、ドナー基板の残りの部分(10’)と採取層(1)との再接着温度より低い温度での熱処理によって実施されることを特徴とする方法。
IPC (4)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324
FI (4)：
H01L27/12 B ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/324 X
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 仏国特許出願公開第2842349号明細書
  • 仏国特許出願公開第2842350号明細書
Cited by examiner (2)

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