半導体基板及び半導体基板の製造方法並びに半導体基板製造装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤強
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999099989
Publication number (International publication number)：2000294754
Application date： Apr. 07, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】イオン注入による基板剥離技術において、剥離半導体層の膜厚均一性を悪化させることなく剥離面の平坦化を実施すること。【解決手段】イオン注入層6が形成された注入基板5と、最終的にSOI基板1の埋込酸化膜3となる表面酸化膜2aが形成された支持基板2とを貼り合わせた状態で熱処理を行うという基板剥離技術を用いてSOI基板1を加工する際に、剥離により形成されたSOI層4の剥離面4aを、水素によるエッチング作用を用いることで平坦化する。特に、剥離後の熱処理温度や雰囲気ガスを制御することにより良好な平坦化処理を行う。

Claim (excerpt)：

支持基板(2)上に、当該支持基板(2)と電気的に絶縁した状態で素子形成用の半導体層(4)を設けてなる半導体基板(1)を製造する方法において、前記半導体層(4)を形成するための半導体層用基板(5)の表面から所定の深さにイオン注入を行ってイオン注入層(6)を形成するイオン注入工程と、前記半導体層用基板(5)のイオン注入側の面と前記支持基板(2)とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、この貼り合わせ工程にて貼り合わされた前記半導体層用基板(5)に対して熱処理を施して前記イオン注入層(6)により形成される欠陥層領域部分で前記半導体層用基板(5)を剥離して前記半導体層(4)を形成する剥離熱処理工程と、剥離した半導体層(4)の剥離面(4a)もしくは支持基板(2)及び半導体層(4)全体を熱処理することにより剥離面(4a)の平坦性を向上させる平坦化熱処理工程とを行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 , H01L 21/265 , H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 27/12 B , H01L 21/265 W , H01L 21/302 L

F-Term (9)：

5F004AA00 , 5F004BA19 , 5F004BB18 , 5F004BB26 , 5F004DA00 , 5F004DA24 , 5F004DB00 , 5F004DB01 , 5F004EA34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-080939 Applicant：三菱電機株式会社
SOI基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-139031 Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社
半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-323592 Applicant：日本電気株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Cleaning and polishing as key steps for Smart-cut(R) SOI process

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