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J-GLOBAL ID：200903097907228869

SOI基板の製造方法

Inventor： 高松 勝 ,  中井 哲弥 ,  冨澤 憲治
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997353179
Publication number (International publication number)：1999186187
Application date： Dec. 22, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体層が酸化膜を介して半導体基板上に重ね合わされているSOI基板において、酸化膜と半導体基板との界面の引張り結合強度を増大させる。【解決手段】 第1半導体基板11の表面に酸化膜12を形成する。酸化膜12上に窒化膜13を形成する。第1半導体基板の表面から水素イオンを注入して第1半導体基板内部にイオン注入領域11aを形成する。窒化膜13を第1半導体基板から除去する。第1半導体基板を酸化膜12を介して第2半導体基板14に重ね合わせて密着させる。第1半導体基板を第2半導体基板に密着させたまま熱処理して第1半導体基板をイオン注入した領域11aで第2半導体基板から分離して第2半導体基板の表面に半導体層11bを形成する。表面に半導体層11bを有する第2半導体基板を更に熱処理する。

Claim (excerpt)：

第1半導体基板(11)の表面に酸化膜(12)を形成する工程と、前記第1半導体基板(11)の酸化膜(12)上に窒化膜(13)を形成する工程と、前記第1半導体基板(11)の表面から水素イオンを注入して前記第1半導体基板(11)内部にイオン注入領域(11a)を形成する工程と、前記窒化膜(13)を前記第1半導体基板(11)から除去する工程と、前記第1半導体基板(11)を前記酸化膜(12)を介して第2半導体基板(14)に重ね合わせて密着させる工程と、前記第1半導体基板(11)を第2半導体基板(14)に密着させたまま所定の温度で熱処理して前記第1半導体基板(11)を前記イオン注入した領域(11a)で前記第2半導体基板(14)から分離して前記第2半導体基板(14)の表面に半導体層(11b)を形成する工程と、表面に半導体層(11b)を有する前記第2半導体基板(14)を更に熱処理する工程とをこの順に含むSOI基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-260592   Applicant：株式会社デンソー
• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-277613   Applicant：株式会社デンソー