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J-GLOBAL ID：200903004330794284

窒化物半導体結晶及びその製造方法

Inventor：
大島 祐一

About 大島 祐一


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005037714
Publication number (International publication number)：2006225180
Application date： Feb. 15, 2005
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：
【課題】 一般式:AlxInyGa1-x-yNで表される窒化物半導体結晶であって、低転位密度化のために初期核密度を低下させた窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に前記窒化物半導体の多数の初期核を形成し、成長に従って互いに融合させ、もって平滑な結晶とする工程を有し、前記初期核による前記基板の表面被覆率が0.8以下の期間において、式:ρ=f/h2(fは表面被覆率であって、0≦f≦1を満たし、hは前記fを測定した時点における前記初期核の平均高さを表す。)により表される初期核密度ρが6×105 cm-2以下とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
一般式:AlxInyGa1-x-yNで表される窒化物半導体結晶の製造方法であって、基板上に前記窒化物半導体の多数の初期核を形成し、成長に従って互いに融合させ、もって平滑な結晶とする工程を有し、前記初期核による前記基板の表面被覆率が0.8以下の期間において、下記式(1): ρ=f/h2・・・(1) (fは表面被覆率であって、0≦f≦1を満たし、hは前記fを測定した時点における前記初期核の平均高さを表す。)により表される初期核密度ρが6×105 cm-2以下であることを特徴とする窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (2)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205
FI (2)：
C30B29/38 D ,  H01L21/205
F-Term (26)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DB05 ,  4G077EE03 ,  4G077EE05 ,  4G077EE06 ,  4G077EE07 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TC13 ,  4G077TC17 ,  4G077TJ01 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB01 ,  5F045DB06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)

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