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J-GLOBAL ID：200903004334238122

金属層から単層カーボンナノチューブを製造する方法

Inventor：
テネント、ハワード

About テネント、ハワード

, 
チャン、ハイ - フォン

About チャン、ハイ - フォン

, 
マ、ジュン

About マ、ジュン


Applicant, Patent owner：
ハイピリオン カタリシス インターナショナル インコーポレイテッド

About ハイピリオン カタリシス インターナショナル インコーポレイテッド


Agent (4)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  高松 武生 ,  安藤 克則
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008504429
Publication number (International publication number)：2008534425
Application date： Mar. 29, 2006
Publication date： Aug. 28, 2008
Summary：
単層カーボンナノチューブの製造法が提供される。金属層の一面に接触した一層以上のフラーレン、及び金属層の他の面に接触した固体炭素源を含む配置が調製される。次に、フラーレン/金属層/固体炭素源の配置が、フラーレンが昇華する温度より低い温度に加熱される。単層カーボンナノチューブが、金属層のフラーレン側で成長する。
Claim (excerpt)：
炭素源から、直径分布が狭い、多数の単層カーボンナノチューブを製造する方法であって、 (a)金属層、 前記金属層の一面に接触した少なくとも一層のフラーレン、と 前記金属層の他の面に接触した固体炭素源を含む配置を作成すること、 (b)前記配置を、前記フラーレンが昇華する温度より低い温度に加熱すること、 (c)前記少なくとも一層のフラーレン、及び前記炭素源を金属層中に溶解させること、と (d)直径がdの、多数の単層カーボンナノチューブを成長させること、その際dが0.8から2.2nmの範囲内であり、前記多数の単層カーボンナノチューブの少なくとも80%がdの±5%以内の直径を有することを特徴とする方法。
IPC (1)：
C01B 31/02
FI (1)：
C01B31/02 101F
F-Term (33)：
4G146AA12 ,  4G146AB06 ,  4G146AC02A ,  4G146AC02B ,  4G146AC03A ,  4G146AC03B ,  4G146AC16B ,  4G146BA01 ,  4G146BA04 ,  4G146BA08 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA13 ,  4G146BA17 ,  4G146BA18 ,  4G146BA22 ,  4G146BA40 ,  4G146BA42 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC32A ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4G146BC37A ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146BC46 ,  4G146BC48
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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