カーボンナノチューブの形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：大島陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002182468
Publication number (International publication number)：2004026532
Application date： Jun. 24, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：

【課題】カーボンナノチューブを成長させる際に触媒として働く金属微粒子を簡単なプロセスで安価に且つ安定的に得ることが可能なカーボンナノチューブ膜形成方法を提供すること【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ形成方法は、カーボンナノチューブ(5)を成長させる際に触媒として働く金属または合金を含む触媒層(3)を導電性材料(2)上に形成する過程と、触媒層の金属または合金を処理して微粒子化する過程と、金属または合金微粒子(3a)を触媒として導電性材料上にカーボンナノチューブを形成する過程とを有し、触媒層の金属または合金を微粒子化する過程が、不活性ガスを供給しつつ、導電性材料上に形成された触媒層を所定の温度で加熱する過程を有することを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

導電性材料上にカーボンナノチューブを形成する方法であって、カーボンナノチューブを成長させる際に触媒として働く金属または合金を含む触媒層を前記導電性材料上に形成する過程と、前記触媒層の金属または合金を処理して微粒子化する過程と、前記金属または合金の微粒子を触媒として前記導電性材料上に前記カーボンナノチューブを形成する過程とを有し、前記触媒層の金属または合金を処理して微粒子化する過程が、不活性ガスを供給しつつ、前記導電性材料上に形成された前記触媒層を所定の温度で加熱する過程を有することを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。

IPC (1)：

C01B31/02

FI (1)：

C01B31/02 101F

F-Term (19)：

4G146AA11 , 4G146AD15 , 4G146AD24 , 4G146BA12 , 4G146BA42 , 4G146BC08 , 4G146BC23 , 4G146BC26 , 4G146BC33A , 4G146BC33B , 4G146BC44 , 4G146DA03 , 5H018BB00 , 5H018BB01 , 5H018EE03 , 5H018EE05 , 5H018HH00 , 5H018HH01 , 5H018HH08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-305512 Applicant：キヤノン株式会社
カーボンソースガス分解用触媒金属膜を用いたカーボンナノチューブの低温合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-178515 Applicant：李鉄真, 株式会社日進ナノテック
接着性カ-ボンナノチュ-ブ膜を有するデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-266103 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

The formation conditions of carbon nanotubes array based on FeNi alloy island films

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