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J-GLOBAL ID：200903005251396300
カーボンナノチューブの作製方法及びその方法を実施するプラズマCVD装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
特許業務法人エクシオ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005132893
Publication number (International publication number)：2005350342
Application date： Apr. 28, 2005
Publication date： Dec. 22, 2005
Summary：
【課題】 従来、プラズマCVD法によって、所定の基板表面にカーボンナノチューブを作製する場合、基板がプラズマによって加熱されることで、基板温度制御が困難で、低温でのカーボンナノチューブの作製に適さなかった。【解決手段】 真空チャンバ11に炭素含有の原料ガスを導入し、プラズマCVD法によって、カーボンナノチューブを基板S表面に気相成長させる際に、基板がプラズマPに曝されないようにプラズマを発生させ、加熱手段によって基板を所定温度に加熱し、プラズマで分解された原料ガスを基板表面に接触させて基板表面にカーボンナノチューブを成長させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
真空チャンバに炭素含有の原料ガスを導入し、プラズマCVD法によって、カーボンナノチューブを基板表面に気相成長させる際に、基板がプラズマに曝されないようにプラズマを発生させ、加熱手段によって基板を所定温度に加熱し、プラズマで分解された原料ガスを基板表面に接触させて基板表面にカーボンナノチューブを成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの作製方法。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (16)：
4G146AA11
, 4G146AD29
, 4G146BA12
, 4G146BC09
, 4G146BC23
, 4G146BC25
, 4G146BC26
, 4G146BC27
, 4G146BC32A
, 4G146BC33A
, 4G146BC33B
, 4G146BC38B
, 4G146BC44
, 4G146DA16
, 4G146DA21
, 4G146DA31
Cited by applicant (1)
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垂直配向カーボンナノチューブの作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-221708
Applicant：日本真空技術株式会社
Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
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