P型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びP型窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大西孝治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999337175
Publication number (International publication number)：2001156003
Application date： Nov. 29, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【目的】特別な設備を必要とすることなく、量産製に優れたP型窒化ガリウム系半導体の製造方法とする。【構成】減圧気相成長法によってP型不純物としての,マグネシウムをドーピングしたGaN系化合物半導体層としてのMgドープGaN層600を基板としてのサファイア基板100に形成した後、その上に、少なくとも400°C以上の温度では電子が主なキャリアとなる金属からなる膜としてZn膜700を形成し、減圧不活性ガスとしての窒素ガス雰囲気下で降温させるようになっている。

Claim (excerpt)：

減圧気相成長法によってP型不純物をドーピングしたGaN系化合物半導体層を形成した後、その上に、少なくとも400°C以上の温度では電子が主なキャリアとなる金属又は半導体からなる膜を形成し、減圧不活性ガス雰囲気下で降温させることを特徴とするP型窒化ガリウム系半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 L

F-Term (22)：

5F041AA31 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA45 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA83 , 5F041CA85 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AB14 , 5F045AD11 , 5F045AE23 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB08 , 5F045CA11 , 5F045DA54 , 5F045HA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-242245 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-226608 Applicant：株式会社東芝
p型窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-070242 Applicant：株式会社東芝

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