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J-GLOBAL ID：200903088799444534

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 菅原 秀人 ,  石川 正行
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997226608
Publication number (International publication number)：1998144962
Application date： Aug. 22, 1997
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 製造が簡単で高発光効率のGaN系半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaN系の半導体発光素子のpn接合発光領域を構成するp型クラッド層304の上部にn型キャップ層305を形成し、p型クラッド層のアクセプタ不純物の活性化率を高くする。またn型キャップ層を電流狭窄構造に用いる。

Claim (excerpt)：

一般式Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x、y≦1)で示されるGaN系半導体の積層構造を有する半導体発光素子であって、該積層構造は、発光領域に電子および正孔を注入するためのn型半導体領域およびp型半導体領域を少なくとも具備し、該p型半導体領域の上部にn型キャップ層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-043581   Applicant：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-253171   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-280692   Applicant：昭和電工株式会社