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J-GLOBAL ID:200903004494111331
リードフレームとそれを用いた半導体装置およびその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996173274
Publication number (International publication number):1998004173
Application date: Jul. 03, 1996
Publication date: Jan. 06, 1998
Summary:
【要約】【課題】 半導体装置を基板実装する際のリフロー工程でパッケージクラック、パッケージ裏面の膨れによる半田付け実装不良が発生していた。【解決手段】 4個の小型ダイパッド部である接合部19a,19b,19c,19dより構成され、搭載する半導体素子よりも小さいダイパッド部16を有したリードフレームを用いることにより、封止樹脂との応力を緩和でき、またダイパッド部16に対して、半導体素子を搭載する際、半導体素子とダイパッド部16とを接合するのに用いる接着剤の量を減らすことができ、吸湿する水分量を減らし、リフロー工程でパッケージクラック等の発生を防止することができる。また、ダイボンド前に搭載する半導体素子の裏面を紫外線洗浄して、ダイシング時の粘着シートの粘着剤を除去するので、素子裏面の汚染はなく、封止樹脂との密着性を確保することができる。
Claim (excerpt):
インナーリード部と、アウターリード部と、半導体素子を搭載するダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持する吊りリード部とより構成されるリードフレームであって、前記ダイパッド部は、開口部と、前記開口部の周囲に搭載する半導体素子との接着のための複数の接合部を有し、前記接合部どうしが連結されていることを特徴とするリードフレーム。
IPC (3):
H01L 23/50
, H01L 21/304 341
, H01L 21/56
FI (3):
H01L 23/50 U
, H01L 21/304 341 D
, H01L 21/56 T
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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半導体装置、その製造方法、及びリードフレーム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-165248
Applicant:日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-053499
Applicant:株式会社東芝
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特開昭63-040352
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