Pat

J-GLOBAL ID：200903004507382674

半導体発光素子および製造方法

Inventor： 佐々木 和明 ,  中村 淳一
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (2)： 青山 葆 ,  山崎 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005026650
Publication number (International publication number)：2005150772
Application date： Feb. 02, 2005
Publication date： Jun. 09, 2005
Summary：

【課題】 発光強度が高く、表面欠陥の少ない構造を有するLED素子およびその製法。 【解決手段】 GaAsを基板とし、その上にGaAsと格子整合するAlGaInP系の材料からなる下部クラッド層、活性層および上部クラッド層が形成され、さらにGaAsとは格子整合しないAlGaInP系の中間バンドギャップ層および2層以上の電流拡散層が形成され、ここに、該活性層に最も近い電流拡散層のキャリア濃度が1〜3×1018cm-3であって、該活性層から最も遠い電流拡散層のキャリア濃度が1〜2×1019cm-3である半導体発光素子。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

GaAsを基板とし、その上にGaAsと格子整合するAlGaInP系の材料からなる下部クラッド層、活性層および上部クラッド層が形成され、さらにGaAsとは格子整合しないAlGaInP系の中間バンドギャップ層および2層以上の電流拡散層が形成され、 ここに、該活性層に最も近い電流拡散層のキャリア濃度が1〜3×1018cm-3であって、該活性層から最も遠い電流拡散層のキャリア濃度が1〜2×1019cm-3であり、該活性層から最も遠い電流拡散層の厚さが1〜3μmであり、電流拡散層の表面の表面欠陥密度が33,000/cm2以下であって、発光強度が1.5カンデラ以上である半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L33/00 ,  H01L21/205

FI (2)：

H01L33/00 B ,  H01L21/205

F-Term (16)：

5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AD11 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-030819   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-066879   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (3)

• 半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-015503   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-030819   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-061420   Applicant：三菱電線工業株式会社